国家/地区 日本（190）
IPC部 C（132） H（128） B（80）
G（21） F（7） A（4）
D（4）
IPC大类 H01（121） C01（118） B82（43）
C08（25） B32（21） B01（20）
C09（16） H05（15） C23（13）
B05（8） G01（8） C22（7）
C25（6） C30（6） C07（5）
IPC小类 C01B（118） H01L（63） B82Y（43）
H01M（42） H01B（28） B32B（21）
C08K（18） B01J（17） C08L（17）
H01G（15） C23C（11） H05K（9）
B05D（8） C08J（8） C09D（7）
IPC C01B031/02（104） C01B031/04（48） B82Y030/00（37）
B82Y040/00（31） C01B032/182（28） H01M004/36（23）
H01M004/587（19） H01M004/133（18） C01B032/15（17）
C01B032/18（16） H01L029/786（16） H01M004/62（16）
B32B009/00（15） C08K003/04（15） H01L021/336（15）
发明人 CHENG Q（7） CHIBA Y（7） YAMAZAKI Y（6）
HASEGAWA M（5） KAJITA A（5） WADA M（5）
YAMADA T（5） YUGE R（5） ISOBAYASHI A（4）
KATAGIRI M（4） KUBOTA Y（4） MATSUMOTO T（4）
SAITO T（4） SAKAI T（4） SATO M（4）
公开年 2014（190）
申请年 2013（103）  2012（47）  2014（40） 
专利权人 DOKURITSU GY.（15） NAT INST ADV.（10） TOSHIBA KK（10） FUJITSU LTD（7）
SEKISUI CHEM.（7） JX NIPPON MI.（6） NEC CORP（6） NAT INST MAT.（4）
NIPPON TELEG.（4） PANASONIC CO.（4） SEKISUI CHEM.（4） SEMICONDUCTO.（4）
SUMITOMO ELE.（4） TOKYO ELECTR.（4） TORAY IND IN.（4） UNIV TOHOKU（4）
BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） DOKURITSU GY.（3） FUJI ELECTRI.（3）

Separating graphene used for e.g. semiconductor device, comprises providing container including graphite particle, graphene and solvent, separating graphite particles from container using magnetic field, and discharging solvent from outlet.

KITAURA H, NISHIKI N, NISHIKAWA K, NAKAYA K, TANAKA A, NAKATANI K, NISHIGI N, TANAGA A

Device useful for isolating substance from blood comprises first sheet of graphene, second sheet of graphene, and conduit system operably coupled to first sheet of graphene and second sheet of graphene.

BACHMANN S M, MOUNTCASTLE P D, TIETJEN B W

Substrate for electronic apparatus e.g. electronic device comprises nitride semiconductor layer which is provided on upper surface of silicon substrate, silicon carbide layer, and graphene layer.

SAI J, FUKIDOME H, SUEMITSU M, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, planarizing upper surface of silicon carbide layer, and forming graphene layer in upper surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Manufacture of substrate for electronic apparatus, involves forming silicon carbide layer on silicon substrate, heating upper surface of silicon carbide layer using gas, and forming graphene layer on surface of silicon carbide layer.

SAI J, SUEMITSU M, FUKIDOME H, MAKABE I, NAKABAYASHI T, TATENO Y

Production of graphene hollow structure body for graphene spherical hollow body integrated electrode and graphene spherical hollow body integrated capacitor involves mixing and dispersing polymer molding and graphene oxide powder.

SHAO Q G, QIN L C, TANG J

Graphene powder used as conductive support agent of lithium-ion battery electrode, is formed by adhering dispersing agent having quinophthalone skeleton and polar group to graphene surface.

SHIGETA K, KUBOTA Y

Electronic device e.g. graphene transistors, has nanocarbon material, electrodes connected to nanocarbon material, and lower layer and upper layer containing molecular material having doping function on nanocarbon material.

SATO S, YAMADA A, YAGI K, TAKAHASHI M

Defect repairing method of graphene film e.g. planar crystalline carbon film, involves irradiating laser by giving carbon source to portion identified as defect portion of film, and restoring local defect of film.

OKIKAWA Y, ISHIHARA M, OMURA H, HASEGAWA M

Organic-semiconductor film used for channel in transistor structure, has pseudo graphene structure including two-dimensional network structure which is formed continuously.

KAGAYA M, MATSUMOTO T, KATO D, KATO T